%0 Journal Article
%T 一种含SiO2氧化物玻璃的晶化温度-压力依赖关系
%A 沈中毅
%A 陈立泉
%A 张云
%A 殷岫君
%A 刘勇
%A 王超英
%A Cros
%A C
%J 高压物理学报
%P 254-258
%D 1990
%R 10.11858/gywlxb.1990.04.003
%X 本文应用DTA及X射线衍射法在常压及高压下对一种含SiO2的锂离子导体玻璃0.3Li2O-0.67SiO2-0.03V2O5加热时的晶化行为进行了研究。该氧化物玻璃的晶化过程分两个阶段。在常压下，第一晶化过程发生在560℃附近，析出相为Li2O·2SiO2。对应的晶化温度Tx1随压力的升高发生了急剧的变化。从常压到0.3GPa，Tx1从560℃升高到620℃；继续升压时Tx1突然下降，并在0.4GPa处跌到528℃，呈现一个陡峭的峰值。0.4GPa以上，Tx1随压力的变化则呈常规行为，比较平稳地，大致线性地升高，一直到最高测定压力2GPa。本文最后对这些行为的可能原因进行了讨论。
%K 高压力效应
%K 离子导体
%K 非晶态-晶态转变
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract1202.shtml