%0 Journal Article
%T 合成金刚石与合成体系之关系
%A 林铭西
%A 阮永才
%J 高压物理学报
%P 227-232
%D 1991
%R 10.11858/gywlxb.1991.03.011
%X 通过各种材料的试验和压机设备因素的测定，总结了金刚石生长过程的特性：金刚石晶体是在石墨（G）-触媒（Me）界面上生长；因电阻R(G)>R(Me)、温度T(G)>T(Me)以及与外界热交换等原因，使合成腔内产生压力、温度梯度，成为金刚石生长之驱动力。梯度过大过小对金刚石生长均不利；金刚石晶体在G-Me界面两侧是非对称性生长；每个晶粒表面有一特殊结构约20μm左右厚的金属薄膜，它起到运载碳源和催化的双重作用。要合成粗粒高强金刚石，需要有一个稳定的合成体系。本文分析了该体系状态的性质及稳定的必要性与稳定的具体方法。
%K 金刚石
%K 生长特性
%K 体系状态
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract1179.shtml