%0 Journal Article
%T 氮化硅（Si3N4）微粉的超高压烧结研究
%A 沈中毅
%A 孙继荣
%A 刘世超
%A 刘勇
%A 黄振坤
%J 高压物理学报
%P 267-274
%D 1991
%R 10.11858/gywlxb.1991.04.004
%X 氮化硅（Si3N4）是具有优良性能的陶瓷材料，具有广泛的工程应用前景。但由于这种化合物属于共价结合性质并具有很高的熔点，陶瓷的烧结需要在很高的温度下进行。本文探讨了在超高压力下这种材料的烧结行为的变化。对含有AlN、Al2O3及少量La2O3添加物的Si3N4微粉在3~7GPa，800~2000℃的压力温度范围内进行烧结，并应用X射线衍射、扫描电子显微镜观察及密度测量等方法研究了烧结样品。结果表明高压力可以大大促进Si3N4的α→β转变及固相反应，降低烧结温度。高压下烧结过程分为两个阶段：低温下以粉末粒子结合为主要内容的过程及高温下各物相间的相变和固相反应为主的过程。研究表明，超高压力下烧结没有改变所研究组份样品的复合相组成。
%K 烧结
%K 氮化硅
%K 陶瓷
%K 高压力效应
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract1162.shtml