%0 Journal Article
%T 高聚物P(EO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（Ⅱ）——添加增塑剂方法的应用
%A 苏昉
%A 戴卫平
%A 苏骁
%J 高压物理学报
%P 161-168
%D 2001
%R 10.11858/gywlxb.2001.03.001
%X 选用分子量为500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜，通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)n-CuBr2（n=4，8，12，16，24）薄膜，并在0.1～2443MPa范围不同的静水压下详细测量了它们的相对介电常数。分别探讨了增塑剂（C4H6O3）含量对室温常压下离子电导率和介电常数的影响，及其对高压下离子电导率和介电常数的影响。实验结果表明：P(EO)16-CuBr2薄膜在添加介电常数较高和本体粘度较低的增塑剂C4H6O3后，当其相对浓度nPC/ntotal=20%时，不仅使该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍，而且使其在高压力下的离子电导率提高1（0.1～100MPa）至2（350～800MPa）个数量级，非常有利于在高压环境中应用。
%K 聚乙烯氧化物薄膜
%K 静水压
%K 离子电导率
%K 介电常数
%K 增塑剂
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract670.shtml