%0 Journal Article
%T FeS2能隙的外压微扰调制
%A 肖奇
%A 邱冠周
%A 胡岳华
%A 王淀佐
%J 高压物理学报
%P 188-193
%D 2002
%R 10.11858/gywlxb.2002.03.005
%X 采用基于密度泛函理论的自洽赝势方法，计算了FeS2在外压调制下的电子结构性质。计算结果表明：随着压缩度的增加，外压调制下的Fe—S键长缩短，FeS2小的能隙变宽，Fe的d电子与S的p电子杂化增强，原子间相互作用增大。这一能隙随压力增大而增大的结果，与非导体在高压下金属化的特征相反。
%K 密度泛函理论
%K 电子结构
%K 能隙
%K 调制
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract619.shtml