%0 Journal Article
%T 金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应
%A 王传新
%A 汪建华
%A 马志斌
%A 满卫东
%A 王升高
%A 康志成
%J 高压物理学报
%P 145-149
%D 2003
%R 10.11858/gywlxb.2003.02.012
%X 在微波等离子体化学气相沉积装置中，研究了金刚石薄膜在Si(100)面上的负偏压形核行为，结果表明，偏压大小对金刚石的形核均匀性有显著影响，而甲烷浓度主要影响形核时间，对金刚石的最大核密度影响不大。在硅片尺寸小于钼支撑架时，形核行为存在明显的边缘效应，即在偏压值低于-150V时，硅片边缘金刚石核密度急剧降低，远低于硅片中央；在甲烷浓度比较低时，硅片边缘核密度要高于中间。研究表明，造成这种现象的主要原因是硅片下的钼支撑架发射电子所致，过量的原子H对金刚石的形核是不利的。
%K MPCVD
%K 形核
%K 金刚石膜
%K 边缘效应
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract578.shtml