%0 Journal Article
%T InAs晶体二维自旋磁极化子自陷能的磁温效应
%A 李子军
%A 李岗
%J 高压物理学报
%P 45-50
%D 2005
%R 10.11858/gywlxb.2005.01.009
%X 在同时考虑磁场和高温高压的情况下，应用么正变换和线性组合算符法，研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子自陷能的影响。对InAs半导体所作的数值计算结果表明，不同方向的电子自旋使弱耦合二维磁极化子的自陷能分裂为二。分裂的程度随磁场的加强而加剧。随着磁场或温度的增加，磁极化子的自陷能减小而电子自旋能量与磁极化子自陷能之比增大。当磁场足够强或温度足够高时，电子自旋能量与磁极化子自陷能之比是很大的。
%K 弱耦合
%K 自旋
%K 自陷能
%K 磁场效应
%K 高温高压效应
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract467.shtml