%0 Journal Article
%T 单分散性CdSe纳米晶的合成——成核及其生长过程
%A 戴全钦
%A 王英楠
%A 李冬妹
%A 陈海勇
%A 阚世海
%A 邹勃
%A 宋艳立
%A 高世勇
%A 聂延光
%A 路红亮
%A 等
%J 高压物理学报
%P 11-14
%D 2008
%R 10.11858/gywlxb.2008.01.003
%X 在氩气保护下，用三辛基亚磷酸和油酸分别作为Se和Cd的配位体，在260～300℃的十八烯溶液中合成了尺寸可控的CdSe纳米晶。该纳米晶不用进行进一步的提纯和尺寸分离就具有单分散性，其量子尺寸限域效应非常明显——吸收光谱的第一吸收峰峰位随着纳米晶的长大而发生红移；该纳米晶质量很高，具有很强的发光能力，其发射光谱对称的形状和合理的Stokes频移（13nm）显示，该纳米晶的发光完全出自带隙，没有来自缺陷的发光。此外，实验结果表明，通过改变三辛基亚磷酸的浓度可以调节成核和生长的快慢，从而可以在不同的反应时间得到不同尺寸的单分散性CdSe纳米晶。
%K CdSe纳米晶
%K 半导体纳米晶
%K 成核
%K 晶体生长
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract165.shtml