%0 Journal Article
%T 纳米SiO2形成柯石英的p-T相图
%A 张广强
%A 徐跃
%A 孙敬姝
%A 许大鹏
%A 王德涌
%A 张琳
%A 薛燕峰
%A 宋更新
%A 刘晓梅
%A 苏文辉
%J 高压物理学报
%P 9-16
%D 2009
%R 10.11858/gywlxb.2009.01.002
%X 使用纳米SiO2粉体为原料，在2.0～4.2GPa、150～1200℃范围内进行了一系列的高压高温实验研究，得到了该压力温度范围内晶化产物α-石英与柯石英的p-T相图，而且该相图中的相边界在650℃以下斜率为负，在650℃以上基本水平。通过X射线衍射仪（XRD）、Raman光谱仪（Raman）、傅立叶红外光谱仪（FT-IR）、DSC-TGA差热分析仪（TG-DTA）-等表征手段，发现纳米SiO2原粉中水分（包含Si－OH和吸附水）的存在能显著降低合成柯石英的温度和时间，在4.2GPa压力下得到了目前合成柯石英的最低温度190℃。常压下，合成的柯石英在800℃以下能够稳定存在，在1000℃以上转化为α-方石英。
%K 纳米二氧化硅
%K &alpha
%K -石英
%K 柯石英
%K 高压高温
%K 硅羟基
%U http://www.gywlxb.cn/CN/abstract/abstract17.shtml