%0 Journal Article
%T 稀土氧化物Pr2O3掺杂对高压ZnO压敏电阻性能的影响
%A 刘桂香
%A 徐光亮
%A 罗庆平
%A 查忠勇
%A 马寒冰
%J 复合材料学报
%P 107-113
%D 2013
%X 采用低温固相化学反应法制备了Pr2O3掺杂的ZnO纳米复合粉体,并用此粉体在不同烧结温度下制备了高压ZnO压敏电阻。采用X射线衍射、比表面测试、透射电镜、扫描电镜等手段对制备的ZnO纳米复合粉体及高压ZnO压敏电阻进行了表征,并与未掺杂ZnO压敏电阻进行了对比研究,探讨了稀土氧化物Pr2O3掺杂对高压ZnO压敏电阻电性能的影响机制。结果表明:较低的烧结温度(1030～1130℃)时,掺杂的稀土氧化物Pr2O3偏析于ZnO晶界中,有活化晶界、促使晶粒生长的作用;同时,Pr2O3掺杂导致1080℃烧结的ZnO压敏陶瓷体中晶体相互交织形成晶界织构,比未掺杂的更均匀和致密,这有助于高压ZnO压敏电阻晶界性能的改善,从而提高其综合电性能。当烧结温度为1080℃时,Pr2O3掺杂的高压ZnO压敏电阻的综合电性能最佳:电位梯度为864.39V/mm,非线性系数为28.75,漏电流为35μA。
%K 掺杂
%K Pr2O3
%K ZnO压敏陶瓷
%K 电性能
%K 纳米复合粉体
%U http://fhclxb.buaa.edu.cn/CN/abstract/abstract11900.shtml