%0 Journal Article
%T 热蒸发法碳化硅纳米晶须阵列的合成与表征
%A 林晶
%A 陈建军
%A 杨光义
%A 吴仁兵
%A 翟蕊
%A 吴玲玲
%A 潘颐*
%J 复合材料学报
%P 77-83
%D 2007
%X 在1600℃不同真空度下,采用热蒸发硅的方法,在石墨基板和聚丙烯腈(PAN)炭纤维两种碳源基体原位生长具有一定取向的碳化硅纳米晶须——垂直于石墨片表面森林状和试管刷状碳化硅纳米晶须阵列。通过X射线衍射及场发射扫描电镜,发现晶须为3C-SiC,直径约100nm,长度约50μm。炭纤维表面的产物顶端多为针尖状,而石墨片表面的产物多为六方棱柱状。因其纳米尺寸效应,在380nm波长的光激发下,所制晶须在波长为468nm附近出现光致发光峰。透射电镜、多点衍射电子衍射图表明,所制得的3C-SiC晶须为单晶,其生长方向为3C-SiC的[111]方向。基于反应过程中硅熔体与碳源分离的事实,讨论了3C-SiC晶须阵列生长的气固反应机理。
%K 碳化硅
%K 晶须
%K 气固反应机理
%U http://fhclxb.buaa.edu.cn/CN/abstract/abstract8917.shtml