%0 Journal Article
%T BN含量对多孔BN/Si3N4陶瓷结构和性能的影响
%A 董薇
%A 汪长安
%A 尉磊
%A 欧阳世翕
%J 复合材料学报
%P 125-129
%D 2013
%X 以氮化硅(Si3N4)为基体,氮化硼(BN)为添加剂,叔丁醇为溶剂,采用凝胶注模成型与无压烧结工艺(温度为1750℃、保温时间为1.5h、流动N2气氛),成功制备出具有一定强度和低介电常数的多孔BN/Si3N4陶瓷。在浆料中初始固相含量固定为15%体积分数的基础上,研究了BN含量对多孔Si3N4陶瓷材料的气孔率、物相组成及显微结构的影响,分析了抗弯强度、介电常数与结构之间的关系。结果表明,通过改变BN含量可制备出气孔率为55.1%~66.2%的多孔Si3N4陶瓷;多孔BN/Si3N4复合陶瓷的介电常数随着BN含量的增加而减小,为3.39~2.25;抗弯强度随BN含量提高而有所下降,BN质量分数为2.5%时,抗弯强度最高,为(74.8±4.25)MPa。
%K BN/Si3N4
%K 多孔陶瓷
%K 气孔率
%K 介电常数
%K 抗弯强度
%U http://fhclxb.buaa.edu.cn/CN/abstract/abstract11824.shtml