%0 Journal Article
%T 液硅渗透法制备SiBC改性C/CSiC复合材料
%A 刘建功
%A 殷小玮
%A 成来飞
%A 张立同
%A 王琴
%J 复合材料学报
%D 2012
%X 为了降低液硅渗透法制备C/C-SiC复合材料中残留Si的含量,采用浆料浸渗结合液硅渗透工艺制备B12(C,Si,B)3改性C/C-SiC复合材料。通过分析不同比例B4C-Si体系在不同温度的反应产物,确定了B12(C,Si,B)3的生成条件。结果表明:B4C和Si在1300℃开始反应,生成少量B12(C,Si,B)3和SiC,且B12(C,Si,B)3的生成量随反应温度的升高而增加;当B4C和Si的摩尔比为3:1、反应温度为1500℃时,产物为B12(C,Si,B)3和SiC;液硅渗透法制备的C/C-SiC复合材料相组成为非晶态C、β-SiC和B12(C,Si,B)3,未见残留Si。
%K 复合材料
%K C/C-SiC
%K B12(C
%K Si
%K B)3
%K 浆料浸渗
%K 液硅渗透
%U http://fhclxb.buaa.edu.cn/CN/abstract/abstract10869.shtml