%0 Journal Article
%T SiCP/ZL109复合材料中SiC的界面行为
%A 隋贤栋
%A 罗承萍
%A 欧阳柳章
%A 骆灼旋
%J 复合材料学报
%P 65-70
%D 2000
%X 　以常规TEM为工具,研究了SiCP/ZL109复合材料中数十个SiC颗粒及其界面,Si优先在SiC表面上形核、长大,形成界面Si,并形成大量SiC/Si界面。靠近SiC界面的Al基体中,普遍存在一层厚度小于1Lm的“亚晶铝带”,其内有大量位错。SiC与Al、SiC与Si之间虽然没有固定的晶体学位向关系,但是存在下列优先关系:(1103)SiC//(111)Al,[1120]SiC//[110]Al;(1101)SiC//(111)Si;[1120]SiC//[112]Si。
%K SiCP/
%K ZL
%K 109
%K 复合材料
%K SiC/Al
%K 界面
%K SiC/S
%K i
%K 界面
%K 晶体学位向关系
%K 界面Si
%K 亚晶铝带
%U http://fhclxb.buaa.edu.cn/CN/abstract/abstract9929.shtml