%0 Journal Article
%T α－Si3N4晶须、晶柱与生长温度关系的研究
%A 徐功骅
%A 来月英
%A 刘艳生
%A 尉京志
%A 吴华武
%A 张克宏
%J 复合材料学报
%P 55-59
%D 1996
%X 本文采用无定形氮化硅超细粉制备α-Si3N4晶须和晶柱,并对生长温度对晶须中的缺陷的影响进行了研究。结果表明:晶须生长时能否得到完整的晶体,与其生长温度有关,只有某一温度范围(1430℃±30℃)生长时,才能得到比较完整的晶体,晶须的生长温度太高或太低均会引起晶体生长的不完整性,晶须中会出现大量的缺陷,温度继续升高时,在晶须中又出现了晶粒,继而生长成晶柱。
%K 晶须
%K 晶柱
%K α－Si3N4
%U http://fhclxb.buaa.edu.cn/CN/abstract/abstract11119.shtml