%0 Journal Article
%T α-Si3N4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究
%A 吴华武
%A 徐功骅
%A 尉京志
%A 来月英
%A 张克宏
%J 复合材料学报
%P 60-64
%D 1996
%X 本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α-Si3N4晶须,晶须生长温度为1400～1450℃,恒温1～4h.讨论了在晶须生长过程中,不同的保护气氛对晶须质量的影响.当晶须在高纯N2气氛中生长时,得到的晶须中氮含量为32%～34%,氧含量为8%～6%,氯含量为0.1%左右.这类晶须中存在着大量的缺陷.当晶须在NH3气氛中生长时,得到的晶须中氮含量为39%左右,氧含量为1%,氯含量为0.01%,在这类晶须的透射电镜照片中几乎看不到缺陷.
%K 晶须
%K α-Si3N4
%K 缺陷与气氛
%U http://fhclxb.buaa.edu.cn/CN/abstract/abstract11097.shtml