%0 Journal Article
%T 长波长QDVCSELs中的应变补偿理论
%A 冯昊
%A 俞重远
%A 刘玉敏
%J 北京邮电大学学报
%P 84-87
%D 2010
%R 10.13190/jbupt.201006.84.158
%X 从理论角度定量地研究了量子点垂直腔表面发射激光器(QDVCSELs)中GaNAs应变补偿层对InAs/GaAs量子点阵列生长质量的改善作用，得出了不同补偿浓度和补偿位置对补偿效果影响的规律，得到了确定最佳补偿参数的途径.为长波长（12~16μm）QDVCSELs中量子点有源区的制备提供了理论指导.
%K 应变补偿
%K 量子点
%K 垂直腔面发射激光器
%U http://www.buptjournal.cn/CN/abstract/abstract971.shtml