%0 Journal Article
%T 利用片上超材料构建单芯片太赫兹双频吸波器
%A 杨曙辉
%A 康劲
%A 陈迎潮
%J 北京邮电大学学报
%P 126-129
%D 2015
%R 10.13190/j.jbupt.2015.03.022
%X 利用65nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种新的单芯片超材料结构太赫兹吸波器,面积约为0.60mm×0.65mm,包含75个吸波单元.吸波单元图案采用CMOS工艺中顶层铜金属,厚度为3.2μm,设计为正八边形和正方形开口谐振环的组合结构;介质层由无掺杂硅玻璃、碳化硅、氮化硅等组成,厚度为9.02μm;介质层背面短线采用CMOS工艺中的第一层金属,厚度为0.2μm.仿真结果表明,该吸波器在0.921THz、1.181THz2个频率处达到最大吸收率,分别为97.84%和95.76%.克服了采用砷化镓、薄膜工艺实现的太赫兹吸波器与CMOS工艺兼容问题,有利于在大规模集成电路中实现.
%K 超材料
%K 开口谐振环
%K 太赫兹吸波器
%K 等效电路
%K 吸收率
%U http://www.buptjournal.cn/CN/abstract/abstract2171.shtml