%0 Journal Article
%T Energ赤as De Cristalizaci車n De Las Capas De A-Sicx:H Intr赤nsecas Y Dopadas Con F車sforo
%A K. Beleˋo
%A I. Torres
%A J. Baquero
%A O. Gualdr車n
%J Bistua : Revista de la Facultad de Ciencias B芍sicas
%D 2010
%I Universidad de Pamplona
%X En este trabajo se estudian las energ赤as de activaci車n que ocasionan el cambio de estado amorfo a cristalino de las capas de carbono de silicio amorfo hidrogenado (a-SiCx:H) intr赤nsico y dopadas con f車sforo 300 nm de grosor despu谷s de un proceso de recocido a elevadas temperaturas (900oC), con la extracci車n de los par芍metros de tiempo de cristalizaci車n tc y tiempo de incubaci車n to. Las capas de a-SiCx:H se depositaron con un equipo de Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) de platos paralelos a una temperatura de 400 oC sobre un substrato de silicio cristalino tipo p de orientaci車n cristalogr芍fica <100>. La cristalizaci車n de las capas se realiz車 en equipo de difracci車n de rayos x con c芍mara de temperatura realizando medidas insitu de la muestra a medida que se aumentaba la temperatura a una rampa de 3 grados por minuto. La primera medida se realiz車 a temperatura ambiente y la segunda a 500 oC para realizar el proceso de liberaci車n de hidr車genos que est芍 contenido dentro de la capa. Luego se aumentaba la temperatura y se hac赤an estaciones cada 100 oC para realizar los respectivos difracto gramas y verificar que no hab赤a ocurrido cambios en la capa. Para el c芍lculo de las energ赤as de activaci車n de las capas y la extracci車n de los par芍metros tc y to se ajusto mediante la teor赤a de Johnson-Mehl-Avrami. Ajustando previamente las curvas obtenidas en el equipo de difracci車n de rayos x con campanas de Gauss y obtener de las medidas experimentales la fase de cristalizaci車n de las capas. Siendo para las capas dopadas de f車sforo el tiempo de cristalizaci車n m芍s corto que en las capas intr赤nsecas, esto debido al efecto que ocasionan las impurezas de f車sforo en la capa que act迆an como centros de recombinaci車n y causan el efecto de formaci車n de semillas cristalinas.
%U http://www.redalyc.org/articulo.oa?id=90319342007