%0 Journal Article
%T Efecto del Si en la estabilidad t谷rmica del Tic en aluminio fundido Effect of Si on the thermal stability of Tic in molten aluminium
%A Victor H L車pez
%A Andrew R Kennedy
%A Rafael Garc赤a
%A Jorge A Verduzco
%J Revista Latinoamericana de Metalurgia y Materiales
%D 2012
%I Universidad Sim車n Bol赤var
%X Con el prop車sito de valorar el efecto del Si en la estabilidad t谷rmica del TiC en aluminio l赤quido, se incorporaron part赤culas de TiC en ba os de aluminio de alta pureza y en una aleaci車n Al-7%Si. Los materiales compuestos fueron sometidos a tratamientos t谷rmicos en el intervalo de temperaturas entre 500∼C y 1000∼C por tiempos de 48 y 6 horas para la matriz de aluminio y la aleaci車n, respectivamente. Las muestras fueron caracterizadas por microscop赤a electr車nica de barrido, difracci車n de rayos X y an芍lisis de im芍genes. Los resultados revelaron que el TiC reacciona lentamente en el estado s車lido, pero la reacci車n se incrementa en el estado l赤quido con la temperatura a un m芍ximo a 725∼C y 800∼C para el Al y la aleaci車n, respectivamente. El resultado de la degradaci車n del TiC en los ba os de aluminio es la precipitaci車n y crecimiento de intermet芍licos Al-Ti y Al-Ti-Si en forma de bloques angulares y peque os bloques de Al4C3. Estos 迆ltimos, envuelven las part赤culas remanentes de TiC cuando la degradaci車n es severa. A temperaturas superiores a 725∼C, la reacci車n entre el TiC y el Al para formar TiAl3 y Al4C3 disminuy車 y entre 800∼C y 1000∼C, la disoluci車n del TiC en Al produce principalmente Al4C3 en menores cantidades conforme la temperatura se incrementa. En la aleaci車n Al-7%Si, esta tendencia se observ車 a temperaturas superiores a 800∼C. Los an芍lisis por espectroscop赤a de rayos X de los intermet芍licos formados en la aleaci車n y difracci車n de rayos X de las muestras tratadas t谷rmicamente indicaron una composici車n promedio TiAl2.39Si0.39 con la estructura cristalina del intermet芍lico TiAl3. La comparaci車n de las fracciones de TiC remanentes en los ba os de aluminio revelan que el Si acelera la cin谷tica de la reacci車n de disoluci車n del TiC y que el mecanismo es diferente a ※bajas§ y ※altas§ temperaturas. In order to assess the effect of Si on the thermal stability of TiC in molten Al, TiC particles were incorporated into Al melts of high purity and Al-7wt.%Si. The composites were heat treated between 500∼C and 1000∼C and held at temperature for 48 and 6 h for the pure Al matrix and the Al-7wt.%Si alloy, respectively. The samples were characterised by scanning electron microscopy, X-ray diffraction and image analysis. The findings revealed that TiC slowly reacts in solid state, but the reactivity increases in liquid state with temperature to a maximum at 725∼C and 800∼C for pure Al and the Al-7wt.%Si alloy, respectively. The degradation of TiC particles in the Al melts resulted in the precipitation and growth of intermetallics into blocky shapes and little bl
%K Compuestos
%K aluminio
%K TiC
%K reactividad
%K Al4C3
%K metal matrix composites
%K aluminium
%K TiC
%K reactivity
%K Al4C3
%U http://wwww.scielo.org.ve/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0255-69522012000100002