%0 Journal Article
%T Producci¨®n y tratamiento de pel¨ªculas de Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub> mediante t¨¦cnicas asistidas por l¨¢ser de exc¨ªmero
%A Castro
%A J.
%A Chiussi
%A S.
%A Serra
%A J.
%A Le¨®n
%A B.
%J Revista de Metalurgia
%D 1998
%I Consejo Superior de Investigaciones Cient¨ªficas
%X Heterostructures of Si1-xGex alloys on Si (100) have been achieved using two different excimer laser techniques. The first one, the Laser Induced Chemical Vapour Deposition (LCVD), was used in order to deposit germanium on Si (100) substrates via photolysis of GeH4 as precursor gas. The resulting films show a very homogeneous and amorphous structure as determined by HREM, XRD and Raman analysis. These deposited amorphous germanium films and a part of their underlaying Si (100) substrate were melted using the second technique, the Pulsed Laser Induced Epitaxy (PLIE), inducing an epitactic recrystallization of a Si-Ge alloy. The analysis of the obtained alloys by HREM, XRD, and XPS, reveals a strong dependence of the crystal quality and of the germanium concentration profile from the number of pulses. El creciente inter¨¦s que suscita la b¨²squeda de nuevas t¨¦cnicas para la obtenci¨®n de materiales semiconductores, compatibles con la tecnolog¨ªa del silicio, ha llevado a desarrollar un sistema de dep¨®sito y postprocesado en alto vac¨ªo (HV) de Si-Ge mediante t¨¦cnicas asistidas por l¨¢ser exc¨ªmero. Se han obtenido pel¨ªculas amorfas de germanio mediante el dep¨®sito qu¨ªmico en fase vapor inducido por l¨¢ser (LCVD), que posteriormente han sido recristalizadas con uso de la inducci¨®n de epitaxia por medio de l¨¢ser pulsado (PLIE). Las pel¨ªculas depositadas sobre substratos de silicio fueron caracterizadas mediante XRD, HREM y Raman, revel¨¢ndose que son amorfas con un alto grado de homogeneidad. Se ha estudiado la morfolog¨ªa y la estequiometr¨ªa de las muestras por medio de XRD, HREM y XPS tras el tratamiento para inducir la cristalinidad de la aleaci¨®n sobre el substrato de silicio, observ¨¢ndose la dependencia del grado de heteroepitaxia y variaci¨®n de la composici¨®n en la aleaci¨®n, con el n¨²mero y la energ¨ªa de los pulsos del l¨¢ser.
%K Excimer laser
%K LCVD
%K PLIE
%K Germanium
%K Si-Ge alloys
%K Heteroepitaxy
%K L¨¢ser de exc¨ªmero
%K LCVD
%K PLIE
%K Germanio
%K Aleaci¨®n Si-Ge
%K Heteroepitaxia
%U http://revistademetalurgia.revistas.csic.es/index.php/revistademetalurgia/article/view/663/675