%0 Journal Article %T Dise o Molecular Asistido por Computadora: Aplicaci車n al Dise o de C迆mulos Mixtos de Silicio-Germanio Dise o Molecular Asistido por Computadora: Aplicaci車n al Dise o de C迆mulos Mixtos de Silicio-Germanio %A Zeferino G車mez %A Juvencio Robles %J Acta Universitaria %D 2012 %I %X En este trabajo se presentan c芍lculos de estructura electr車nica para obtener las estructuras de m赤nima energ赤a potencial en c迆mulos puros y mixtos de Silicio y Germanio, para tama o de c迆mulos entre 2 y 6 芍tomos. Adem芍s de analizar la estructura electr車nica, estudiamos una serie de propiedades f赤sicas y qu赤micas de estos sistemas, de inter谷s para su posible aplicaci車n en Electr車nica, entre ellas el calor de formaci車n, potencial de ionizaci車n, afinidad electr車nica, dureza absoluta, electronegatividad, hibridaci車n, frecuencias vibracionales, estabilidad frente a la fragmentaci車n y energ赤a de disociaci車n de enlace. Tambi谷n se presenta una discusi車n sobre la evoluci車n de las geometr赤as de los c迆mulos mixtos seg迆n aumenta la composici車n de Germanio en cada c迆mulo. Se puede predecir cuales de estos c迆mulos, que a迆n no se detectan experimentalmente, ser赤an los m芍s estables, y aparentemente son aqu谷llos con 4, o 6 芍tomos y algunos de nuclearidad igual a 5, como son los c迆mulos SiGe4, Si2Ge3, and Si3Ge2. In this work, electronic structure calculations have been performed to obtain the minimum potential energy structures of pure and mixed silicon-germanium clusters (cluster size within 2-6 atoms). Furthermore the electronic structure and various physical and chemical properties are studied. Properties useful for electronics applications, like heat of formation, ionization potentials, electron affinity, absolute hardness, electronegativity, hybridization, vibrational frequencies, fragmentation and bond dissociation energy of these silicon-germanium clusters are discussed. Thereafter, the evolution of the mixed clusters geometries with increasing germanium composition is also discussed. The most stable mixed silicon-germanium clusters are predicted for four and six atoms components and some with nuclearity equal to five such as SiGe4, Si2Ge3, and Si3Ge2. %K Silicio %K Germanio %K C迆mulo %K Semiconductor %K Qu赤mica computacional. %U http://www.actauniversitaria.ugto.mx/index.php/acta/article/view/161