%0 Journal Article
%T 降低Fe-N软磁薄膜矫顽力的途径
%A 李丹
%A 周剑平
%A 顾有松
%A 常香荣
%A 李福燊
%A 乔利杰
%A 田中卓
%A 方光旦
%A 宋庆山
%J 自然科学进展
%D 2002
%I 
%X 用RF磁控溅射沉积的Fe-N磁性薄膜,饱和磁化强度比较高,但矫顽力太高,因而降低H c 成为Fe-N是否可以用于高密度磁记录的关键.在低功率200W下溅射沉积200nm的薄膜,在250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f A为5%～7%范围内,形成α′+α″时,μ o Ms可达2.4T,H c <80A/m.但Fe-N磁性薄膜厚度需要达到2μm,而H c 往往因厚度增加而增加.提高溅射功率到1000W,使晶粒进一步细化,2μm厚的Fe-N磁性薄膜经250℃,12000A/m磁场下真空热处理后,当N含量在f A 为5.9%～8.5%范围内,形成α′+α″时,μ o Ms=2.2T,H c 仍可低于80A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.
%K Fe-N
%K 软磁
%K 薄膜
%K 矫顽力
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=96E6E851B5104576C2DD9FC1FBCB69EF&jid=504AF8C1E5476CA7C4EC9DF6FEAC14AC&aid=536ECBDE9B09A8DA&yid=C3ACC247184A22C1&vid=59906B3B2830C2C5&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A60ED5C9472B8BEB&eid=7B747CE18E2C7596&journal_id=1002-008X&journal_name=自然科学进展&referenced_num=0&reference_num=17