%0 Journal Article
%T C+离子注入与CoSi2薄膜应力的研究
%A 王若楠
%A 刘继峰
%A 冯嘉猷
%J 自然科学进展
%D 2002
%I 
%X 根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi 2 薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源.实验在Si(100)基体注入碳离子(C + ),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简称RTA)形成二硅化钴(CoSi 2 )薄膜,发现薄膜中的应力随C + 离子注入剂量的增加而减少,理论计算了由C + 离子注入引起的应力减小的数值,并与实验结果进行了比较.
%K CoSi
%K 2
%K 薄膜
%K 应力
%K 原子表面电子密度
%K TFD模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=96E6E851B5104576C2DD9FC1FBCB69EF&jid=504AF8C1E5476CA7C4EC9DF6FEAC14AC&aid=FCAFF4868D8754F6&yid=C3ACC247184A22C1&vid=59906B3B2830C2C5&iid=59906B3B2830C2C5&sid=4944E31C6DB9BAF5&eid=A903BA7BF48F47AE&journal_id=1002-008X&journal_name=自然科学进展&referenced_num=2&reference_num=23