%0 Journal Article
%T Effect of Corrosion Inhibitor in the Chemical Mechanical Polishing of Copper<br>缓蚀剂在铜化学机械抛光过程中的作用研究
%A ZHANG Wei
%A LU Xin-chun
%A LIU Yu-hong
%A LUO Jian-bin
%A <br>张伟
%A 路新春
%A 刘宇宏
%A 雒建斌
%J 摩擦学学报
%D 2007
%I 
%X 利用柠檬酸体系抛光液研究了苯并三氮唑(BTA)缓蚀剂对铜化学机械抛光过程和抛光效果的影响,并通过X射线光电子能谱仪、紫外可见吸收光谱仪及表面电位测试和电化学分析等手段分析了抛光液中BTA缓蚀剂在铜化学机械抛光过程中的作用机理.结果表明,当H2O2存在时,抛光液中BTA作为阳极缓蚀剂吸附在抛光表面,提高了阳极铜溶解的平衡电位,并通过缩合反应生成保护膜,减小了抛光后的表面粗糙度,提高了表面质量,同时在一定程度上增加了抛光过程中的摩擦系数.另外,BTA对SiO2抛光磨粒具有一定的吸附作用,进而对抛光效果产生一定的影响,抛光磨粒表面吸附层的存在会减小抛光过程中的摩擦系数.
%K chemical mechanical polishing
%K corrosion inhibitor
%K friction coefficient
%K zeta potential
%K potentiodynamic polarization curve<br>化学机械抛光
%K 缓蚀剂
%K 摩擦系数
%K 表面电位
%K 极化曲线
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=5D344E2AD54D14F8&jid=2F467A5C6371C830162AAA01D7DAD07A&aid=7509F3C55F85FAC2&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=DB817633AA4F79B9&iid=94C357A881DFC066&sid=238BD7580EFCC5AE&eid=EB58C3052341AAA3&journal_id=1004-0595&journal_name=摩擦学学报&referenced_num=0&reference_num=9