%0 Journal Article
%T Formation of Hillock-Scratch Damage on Si(100) Surface under Low Load<br>凸结构的形成-低载下单晶硅表面的划痕损伤研究
%A YANG Chao
%A YU Bing-jun
%A QIAN Lin-mao
%A <br>杨超
%A 余丙军
%A 钱林茂
%J 摩擦学学报
%D 2010
%I 
%X 利用纳米划痕仪及曲率半径3 μm的球形金刚石针尖，在单晶硅（100）表面进行了不同载荷下的划痕实验。结果表明：随载荷的增加，单晶硅表面的划痕损伤先后经历了从凸起形成、凸起与凹槽并存到材料去除的变化过程。当载荷为0.5～3.0 mN时，单晶硅上的划痕损伤表现为凸结构的形成，且凸起的高度和体积随载荷的增加而增大；当载荷为3～50 mN时，凸起和凹槽同时出现，但损伤区域体积未见减少，损伤仍以凸结构形成为主导；当载荷大于50 mN时，凹槽深度和磨损体积明显增大，划痕损伤表现为典型的材料去除。进一步的分析显示，单晶硅的划痕损伤特征与其接触区的应力状态密切相关，低载下的摩擦和剪切作用是凸结构产生的主要原因。
%K monocrystalline silicon
%K scratch-induced damage
%K formation of hillock<br>单晶硅
%K 划痕损伤
%K 凸起形成
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=5D344E2AD54D14F8&jid=2F467A5C6371C830162AAA01D7DAD07A&aid=DCBD06E3CF0FF8984548679CE65B83A8&yid=140ECF96957D60B2&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=08805F9252973BA4&eid=6700D0D256586E73&journal_id=1004-0595&journal_name=摩擦学学报&referenced_num=0&reference_num=0