%0 Journal Article
%T GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性
%A 刘磊
%A 陈诺夫
%A 汪宇
%A 白一鸣
%A 崔敏
%A 高福宝
%J 科学通报
%D 2009
%I 
%X 利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达27.1%的GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池, 并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究. 通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收边随温度升高发生红移, 这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应. 根据光谱响应数据计算得到的GaInP/GaAs/Ge叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为12.9, 13.7和17 mA/cm2, 且叠层电池的短路电流密度的温度系数为8.9 μA/(cm2·℃). 最后, 根据叠层电池的串联结构推导了其电压温度系数为-6.27 mV/℃.
%K 光谱响应
%K 叠层电池
%K 温度系数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=C9757E3DD94CEACB415656681F49E9D8&yid=DE12191FBD62783C&vid=318E4CC20AED4940&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=7801E6FC5AE9020C&eid=A04140E723CB732E&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0