%0 Journal Article %T Effect of Processing Variables on the Composition and Microstructure of lon Beam Enhanced Deposition SisN4 Film
工艺因素对离子束增强沉积氮化硅薄膜组成与结构的影响 %A Zhuang Daming %A Liu Jiajun %A Li Wenzhi %A Zhu Baoliang %A
庄大明 %A 张绪寿 %J 摩擦学学报 %D 1995 %I %X 本世纪80年代以来,利用各种表面技术陶瓷材料涂覆于金属零件表面的研究发展很快,离子束增强沉积技术以其突出的优点更受到重视,利用这种技术合成陶瓷薄膜是一种新的物理气相沉积方法,而沉积薄膜的质量,性能和成膜速度都会受到工艺因素的影响,由于氮化硅陶瓷的硬度高,韧性和高温稳定性都比较好,是一种相当理想的耐磨材料,且其还有一定的自润滑性,因此,着重研究了氮离子束流和束压,氮离子与硅原子在基片上的达比,以及不 %K ion beam enhanced deposition ceramics %K thin film chemical composition %K crystal structure %K single crystal silicon %K 52100 steel
离子束增强沉积 %K 化学组成 %K 氮化硅 %K 薄膜 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=5D344E2AD54D14F8&jid=2F467A5C6371C830162AAA01D7DAD07A&aid=65E17E8BF6D009C442F3E7005DCC68E6&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=C3BF5C58156BEDF0&eid=89F76E117E9BDB76&journal_id=1004-0595&journal_name=摩擦学学报&referenced_num=0&reference_num=5