%0 Journal Article
%T 外延型全高T_c边缘结的制备与性能研究
%A 胡毅飞
%J 科学通报
%D 1992
%I 
%X 约瑟夫森效应曾在以不同方法制备的高T_c超导弱连接中被观察到。虽然这些材料的相干长度较短,但其中的天然晶界使约瑟夫森器件的制备变得比较容易。不过,使用这些多晶的块材或薄膜制备的器件一般具有较大的噪声。实验表明,噪声源于多晶薄膜区的磁通蠕动(flux creeping)。因此,近年来随着优质的高T_c外延膜技术的成熟,人们对于在外延膜上
%K 高Tc
%K 超导体
%K 边缘结
%K 磁控溅射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=6201B03B2E99F32040DDDA4F4A642A4B&yid=F53A2717BDB04D52&vid=42425781F0B1C26E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=CDEBD1ACE0A4C1C1&eid=CDEBD1ACE0A4C1C1&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=3