%0 Journal Article
%T 分子束研究Cl_2在Si(111)面化学吸附的平动能效应
%A 秦启宗
%J 科学通报
%D 1995
%I 
%X 气相小分子在金属单晶表面上解离化学吸附的机理研究十分活跃.目前描述化学吸附过程有两种不同的机理,即直接解离和前驱态(Precursor)机理.前者认为气相分子与固相表面碰撞能直接解离成碎片吸附于表面上;后者则假设分子入射表面先经中间前驱态再发生解离化学吸附.要深入研究上述不同的吸附机理,分子束技术是一种有效的实验手段,通过测定入射分子束的平动能以及入射角对解离吸附的影响,可以获得有关化学吸附的重要信息.在半导体表面气相化学蚀刻反应中Si-Cl_2体系占有十分重要的地位.我们在文献4,5]中曾指出Cl_2分子在Si表面上解离吸附是蚀刻反应关键的一步,但是对其吸附机理的深入研究尚未见报道.本文将首次采用超声分子束、角分辨的飞行时间质谱和激光诱导吸附技术,研究Cl_2在Si(111)表面上吸附的平动能效应,并探讨其解离化学吸附的机理.
%K 化学吸附
%K 分子束
%K 平动能效应
%K 硅表面
%K 氯
%K 半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=8A0C4780AFC167957DC719E751B9716D&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1371F55DA51B6E64&iid=59906B3B2830C2C5&sid=0E984446F53ECF74&eid=0E984446F53ECF74&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=3