%0 Journal Article
%T 纳米InAs镶嵌复合薄膜的制备及光吸收
%A 石建中
%A 朱开贵
%A 姚伟国
%A 贾俊辉
%A 陈志祥
%A 张立德
%J 科学通报
%D 1998
%I 
%X 采用射频共溅技术制备了ＩｎＡｓ－ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜，透射电子显微镜观察分析了该复合薄膜的微结构和形成规律。结果表明，随着衬底温度的提高，复合薄膜中ＩｎＡｓ的聚集状态经历由完全弥散到分形聚集再到纳米晶颗粒的转变。测量了该复合薄膜室温光吸收谱，观察到了吸收边发生较大蓝移的现象，并用量子取域理论对这种现象进行了解释。
%K 镶嵌复合薄膜
%K 射频共溅
%K 光吸收
%K 砷化铟
%K 纳米材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=001200A4CEA7BBA3F13B0ACEFD53D56E&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=BE33CC7147FEFCA4&iid=59906B3B2830C2C5&sid=11F3C55CF63C495D&eid=7671EBF56E8E19A5&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=3&reference_num=1