%0 Journal Article
%T 低通量慢中子在YBCO系列高T_c超导体里的辐照效应
%A 金继荣
%J 科学通报
%D 1992
%I 
%X 在非理想第Ⅱ类超导体里,临界电流密度J_c因结构缺陷的变化而变化,而且对缺陷的浓度很敏感。中子辐照是一种可控的在样品内增加缺陷浓度的有效方法。不少实验已经证明,适量的中子辐照可以较大幅度地提高YBa_2Cu_3O_(7-8)(YBCO)系列高T_c超导体(HTSC)的J_c和临界温度T_c。此外,中子辐照也是探索超导电性机理的途径之一。理论和应用上
%K 中子
%K 高Tc
%K 超导体
%K 辐照
%K YBaCuO
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=36CA1AEADB6D446343A0139DB4BE74D7&yid=F53A2717BDB04D52&vid=42425781F0B1C26E&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=240CB58995465C01&eid=240CB58995465C01&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=2