%0 Journal Article
%T 玻璃基底上Cd(S,Se)膜结构的一维特征
%A 郑毓峰
%J 科学通报
%D 1994
%I 
%X 半导体材料CdS,CdSe薄膜因其优良的光电特性和广泛的应用前景,一直受到人们的重视.目前,许多研究组已对该膜的制备方法,结构与性能进行了比较细致的研究.Ray等对用常规真空蒸发方法制备的CdS薄膜进行了研究,发现随着膜厚度从13600A减少到1200A,膜的电阻由0.15变到3.7Ω 膜的透射率为80—90%,作者认为CdS膜具有六方结构,在(002)方向具有高度择优取向.Chuu等曾对用脉冲激光蒸发(PLE)和热蒸发(TE)方
%K 薄膜
%K 基底
%K 玻璃
%K 砷化镉
%K 硫化镉
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=25B4F70F119E93E00923AA942AEF0D3F&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=7C3A4C1EE6A45749&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=7CD511FB1661A334&eid=7CD511FB1661A334&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0