%0 Journal Article
%T 禁带宽度梯度化的半导体薄膜光电极的研究
%A 赵高凌
%A 宋斌
%A 韩高荣
%A 幸塚広光
%A 横尾俊信
%J 科学通报
%D 2001
%I 
%X 为了得到光电化学性质稳定且具有宽的光吸收范围的光电极材料，给出了一种禁带宽度梯度化的氧化物半导体薄膜电极的设计。用溶胶凝胶法将不同V／Ti比的溶胶逐层涂于基板上，通过热处理得到了禁带宽度梯度化的Ti1-xVxO2薄膜电极。XPS结果显示所得薄膜中形成了组成梯度。这种Ti1-xVxO2薄膜电极的光电化学性质稳定，光生伏打约为360mV，可见光区具有明显的光电流。与纯的TiO2薄膜电极相比，Ti1-xVxO2薄膜电极的光电流起始电压正移了。这是由于电极表面富集的钒形成了电子空穴复合中心。Ti1-xVxO2的导带最低能级比TiO2的低可能是引起正移的另一原因。阻抗分析表明Ti1-xVxO2的受主密度比TiO2的高。
%K 禁带宽度梯度化
%K 溶胶凝胶法
%K 光电极材料
%K 半导体薄膜
%K 光电性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=B8416A85C4A7E13B&yid=14E7EF987E4155E6&vid=D997634CFE9B6321&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=D3E34374A0D77D7F&eid=4AD960B5AD2D111A&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=2&reference_num=10