%0 Journal Article
%T 纳米非晶氮化硅的界面极化行为及其机制
%A 王涛
%J 科学通报
%D 1994
%I 
%X 纳米非晶氮化硅由尺寸为纳米级非晶小颗粒经压制而成,界面占很大的比例.这种新型团体出现一些传统氮化硅所不具有的特殊性能.传统氮化硅是良好的绝缘体,研究它的介电行为当然十分重要.传统热压烧结和反应烧结获得的氮化硅的介电常数约为8.36,不论是晶态还是非晶态氮化硅在室温下的介电常数与频率无关.对于纳米非晶氨化硅介电行为的研究却未见报道.本文将系统研究纳米非晶氮化硅的介电行为,并深入研究产生这种特殊行为的机制.
%K 氮化硅
%K 介电常数
%K 极化
%K 纳米级
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=45E9E2F2EB1D83DBAA64BB3DC178671D&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=7C3A4C1EE6A45749&iid=708DD6B15D2464E8&sid=88B4027FEBE4F5FF&eid=88B4027FEBE4F5FF&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=10&reference_num=1