%0 Journal Article
%T 四元合金 A_x~ⅢB_y~ⅢC_(1-x-y)~ⅢD~v 的有序结构
%A 王世范
%J 科学通报
%D 1993
%I 
%X 随着分子束外延(Molecular-beam epitaxy,MBE)、金属有机化学汽相沉积(Metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)和有机金属汽相外延(Organometallic vaporphase epitaxy,OMVPE)等生长技术的出现,大量新型半导体合金和超晶格材料被制成。近年来出现的Ⅲ-V族四元合金因其独特的性能引起了人们广泛的重视。它们作为光电器件的基础材料已得到越来越多的应用。例如,利用In_0.5(Al_xGa_(1-x))_0.5P合金的宽带隙和形成双异质结构的性能,可制成短波长激光器和发光二极管;用GaInAs/AlGaInAs制成量子阱激
%K 有序结构
%K 超晶格
%K 四元合金
%K 半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=64EB1E6428F8D47168889BDF87801E9D&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=16D8618C6164A3ED&iid=E158A972A605785F&sid=160561E9A96393DE&eid=160561E9A96393DE&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=5