%0 Journal Article
%T 电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究
%A 贺德衍
%A 王晓强
%A 陈强
%A 栗军帅
%A 尹旻
%A A. V. Karabutov
%A A. G. Kazanskii
%J 科学通报
%D 2006
%I 
%X 利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜，用拉曼谱对样品的结构进行了表征，502cm^-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相．用原子力显微镜观察样品表面形貌发现，在合适的等离子体条件下制备的样品，其表面由随机均匀排列的高密度Si锥组成，Si锥的高度为30～40nm，底面平均直径约为200nm．场电子发射测量结果显示样品具有良好的电子发射特性，开启电压为7～10V／μm．
%K ICP-CVD
%K 纳米行Si锥
%K 场电子发射
%K 低温生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=80295004EB26A669&yid=37904DC365DD7266&vid=987EDA49D8A7A635&iid=38B194292C032A66&sid=4B1FFFA116F7AE3B&eid=01622E3E475F966C&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=14