%0 Journal Article
%T 立方氮化硼薄膜的织构生长
%A 陈光华
%J 科学通报
%D 1995
%I 
%X 立方氮化硼(C-BN)除了具有一系列类似于金刚石的优异的物理化学性质,如高硬度(仅次于金刚石),宽带隙(E_g≈6.6eV),高的电阻率和高的热导率外,还具有一些优于金刚石的性质,如比金刚石高的热稳定性和化学稳定性,容易实现p型和n型掺杂(而金刚石的n型掺杂国际上至今尚未实现),与Si,GaAs更接近的热膨胀系数.因此,C-BN在力学、光学、热学、电子学等方面有着极其广泛的应用前景.其中最为诱人的前景是在电子学方面,首先作为一种易于p型,n型掺杂的宽带隙半导体材料,它可以应用于高温、高频、大功率、抗辐射电子器
%K 立方氮化硼
%K 薄膜
%K 织构生长
%K 氮化硼
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=D5D5A802EEB4DB9B29396A991279D50F&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1371F55DA51B6E64&iid=B31275AF3241DB2D&sid=A03A15CF5604A8B0&eid=A03A15CF5604A8B0&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=2&reference_num=2