%0 Journal Article
%T Y_1Ba_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_y系超导体中Sn替代位置的正电子湮没研究
%A 陈昂
%J 科学通报
%D 1992
%I 
%X 元素替代效应已成为研究高温超导陶瓷的重要方法之一,而元素替代的真实位置是讨论替代效应的基本点。正电子湮没技术高度敏感于材料中的电子结构与缺陷机构。自从Jean等人首次报道了在高温超导陶瓷中的正电子湮没谱后,许多工作表明正电子湮没技术也是研究该类材料的有力工具。特别是近来一系列的理论计算与实验研究,表明了在高温超
%K 高温超导体
%K 元素替代
%K 正电子湮没寿命谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01ba20e8ba813e1908f3698710bbfefee816345f465feba5&cid=7c7e63796f062382a606a3a9833b8c05&jid=b40d4ba57ff46e45205a09b4dc283152&aid=8d3e51078ccd56bfdbed632fa3fe9e36&yid=f53a2717bdb04d52&vid=42425781f0b1c26e&iid=708dd6b15d2464e8&sid=1be4748776bf02c4&eid=1be4748776bf02c4&journal_id=0023-074x&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0