%0 Journal Article
%T 利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件
%A 徐静波
%A 张海英
%A 王文新
%A 刘亮
%A 黎明
%A 付晓君
%A 牛洁斌
%A 叶甜春
%J 科学通报
%D 2008
%I 
%X 电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一,利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基MHEMT器件.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能,电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.
%K 电子束光刻
%K 应变高电子迁移率晶体管
%K T型栅
%K 电流增益截止频率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=4CDA9E01CCE24E4ECF36C74DDB5CA4EB&yid=67289AFF6305E306&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=94C357A881DFC066&sid=2EAE52BA5B1222A9&eid=0A8675156EB60B87&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=3