%0 Journal Article
%T 利用一种简单方法制备的高质量的p型ZnO薄膜及其性质
%A 毛飞燕
%A 邓宏
%A 戴丽萍
%A 陈金菊
%A 袁兆林
%A 李燕
%J 科学通报
%D 2008
%I 
%X 利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6.2H2O为固相源、ZnNO3为掺杂源制备出p型ZnO:N薄膜,采用XRD,霍耳效应和PL谱对薄膜进行分析,研究了衬底温度对膜结构、电学性质和光致发光特性的影响.结果表明,生长温度较低时,薄膜呈p型导电特性且电阻率随衬底温度的升高而下降,衬底温度为400℃时,载流子浓度达到 5.127×1017cm3?,电阻率为0.04706?.cm,迁移率为259cm2/(V.s),并且一个月后的测试表明薄膜仍呈p型导电特性.当衬底温度过高时薄膜从p型导电转为n型.
%K 化学气相沉积法
%K ZnO:N薄膜
%K p型
%K 迁移率
%K 载流子浓度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=096D654F392E08237979DCBA49111806&yid=67289AFF6305E306&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=B31275AF3241DB2D&sid=F8AEC975DBDD7F2F&eid=C824C8F9F54AE9B9&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=13