%0 Journal Article
%T Di-electrophoresis assembly and fabrication of SWCNT field-effect transistor<br>SWCNT场效应晶体管的介电泳装配与制造
%A Tian X J
%A Wang Y C
%A Yu H B
%A <br>田孝军
%A 王越超
%A 于海波
%A 董再励
%A 席宁
%A 童兆宏
%J 科学通报
%D 2009
%I 
%X 在基于单壁碳纳米管(SWCNT)的纳电子器件或系统制备过程中, SWCNT场效应晶体管(SWCNT FET)作为最基本的构成元件, 如何进行其可控装配与制造成为了关键课题. 为此, 在利用十二烷基硫酸纳(SDS)辅助超声分散SWCNT及离心去除杂质的基础上, 针对所设计制作的背栅式FET微电极芯片, 采用介电泳驱动方法实现了SWCNT的可控均匀排布与装配. 排布与装配实验表明, SWCNT在电极间隙处具有很好的均匀定向排布与装配效果, 且沿电极宽度方向的排布密度与电泳持续时间、溶液浓度基本成正比. 经过初步漂洗及干燥, 再通过场效应特性改善处理, 烧断金属性SWCNT并进一步去除残留的SDS, 获得了良好的SWCNT FET场效应特性.
%K 单壁碳纳米管
%K 场效应晶体管
%K 介电泳装配
%K 场效应特性改善
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=EE18181624C5E317309EB6F0378722BF&yid=DE12191FBD62783C&vid=318E4CC20AED4940&iid=94C357A881DFC066&sid=A0C7970CD30381EA&eid=06DAE5E1DF7D0B6A&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0