%0 Journal Article
%T GaN掺Cr材料的局域电子结构和磁性
%A 蔺何
%J 科学通报
%D 2006
%I 
%X 运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性，计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法．计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化，变化趋势和实验结果吻合．在包含两个Cr原子的体系中，Cr原子之间是铁磁性偶合，每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近．对于不同的掺杂浓度，Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合，Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化，这与晶体的能带计算方法得到的结果一致．
%K 稀磁半导体
%K 密度泛函理论
%K 原子团模型
%K 第一性原理计算
%K 电子结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=C65494CBB4E25282&yid=37904DC365DD7266&vid=987EDA49D8A7A635&iid=5D311CA918CA9A03&sid=6484E0C1B87D264C&eid=3382A18868551611&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=1&reference_num=14