%0 Journal Article
%T 高Hc_2Nb_3Ge超导薄膜
%A 崔长庚
%J 科学通报
%D 1987
%I 
%X 一、引言 1973年Gavaler和Testaidi等利用溅射方法分别获得超导转变温度高达22.3K和23.2K的Nb_3Ge超导薄膜。从此以后,A-15Nb_3Ge化合物一直是已发现的超导转变温度最高的超导体,吸引人们对Nb_3Ge进行了许多研究。上临界场Hc_2是超导体的另一个重要参量,1974年Foner等测量了Nb_3Ge的上临界场Hc_2(T),外推出绝对零度时的上临界场
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=B8584B19AB91496C1320C7C15E981A97&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=9971A5E270697F23&iid=708DD6B15D2464E8&sid=95780E43ADDDE2AA&eid=95780E43ADDDE2AA&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0