%0 Journal Article
%T 半导体砷化镓的受激发射
%A 王乃弘
%A 潘君骅
%A 聂朝江
%A 刘训阁
%J 科学通报
%D 1964
%I 
%X 半导体砷化镓p-n结的受激发光,国外在1962年11月首次获得。我们在1964年2月5日初次观察到了砷化镓正向p-n结的复合受激发光。p型材料杂质是锌;n型材料杂质是碲。受激光是从砷化镓p-n结的两抛光平行端面射出。样品尺寸为1.3×0.2×0.3毫米~3,在液氮温度下以脉冲形式工作。我们首先用单色光计测定了辐射的波长及谱线半宽度,在阈电流(25安培)以下时测得(非相干辐射的)谱宽为200埃;在阈电流以上时测得谱宽为20
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=7A0553A799DEF81975B22822834CD4EB&yid=29B68C6EE36B014B&vid=9CF7A0430CBB2DFD&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=06D504E5261AB652&eid=06D504E5261AB652&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0