%0 Journal Article
%T 高功率激光与MNOS型电荷耦合器件相互作用过程的等离子体诊断
%A 倪晓武
%J 科学通报
%D 1995
%I 
%X 电荷耦合器件(Change-coupled devices,CCD)是一种全固体自扫描摄像器件,因其具有体积小、图像畸变小、无残像和寿命长等优点,因而在摄像、探测和信息处理与存储等领域得到广泛应用.在一些特殊的场合,CCD经常要与激光光源配合使用,不可避免地存在着激光与CCD相互作用甚至产生损伤的问题.这里所说的损伤又有组成CCD的半导体材料中处于杂质能带的电子吸收激光能量大量向导带跃迁,引起暗电流增加而使器件饱和或失效的软损伤和激光束直接作用于CCD,致使器件中材料或结构硬损伤等.对前一问题,已有文献进行了相关的研究.本文利用调Q-YAG激光与NMOS结构的CCD多次重复作用产生的等离子体形貌及其Mach-Zehnder干涉图,研究了高功率激光与该种光电器件的相互作用过程.首次得到了脉宽为15ns的1064nm激光对MNOS结构相互作用过程的等离子体干涉图及有关实验结果.
%K 电荷耦合器件
%K MNOS结构
%K 相互作用
%K 等离子体
%K 激光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=EEECA927B4778842D66AFA4CD2DD6119&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=1371F55DA51B6E64&iid=59906B3B2830C2C5&sid=E6E6318AC4BCBFDB&eid=E6E6318AC4BCBFDB&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=1&reference_num=3