%0 Journal Article
%T W-Bi-Ti-O系陶瓷低场电学性能的温度特性
%A 陈敏
%A 刘祖黎
%A 王传聪
%A 王豫
%A 羊新胜
%A 姚凯伦
%J 科学通报
%D 2004
%I 
%X 采用通常的固相合成工艺制备了Bi2WTi3O12陶瓷.在低场(E<100 V/mm)T,随温度的升高,样品的电学性质先呈现金属行为,100℃后变为无规的电涨落,300℃后则表现为半导体特征下的非线性行为.这些现象不能用电传导的热激发Arrhenius规律来解释.XRD分析表明样品中存在Bi2WO6主晶相和Bi4Ti13O12次晶相.考虑到WO3的相变后可以简单的解释上述实验结果.
%K W-Bi-Ti-O系陶瓷
%K 电学性能
%K 温度特性
%K 铁电材料
%K 显微结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=0F037933C1D8A56B&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=2A3781E88AB1776F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=D997634CFE9B6321&eid=2A3781E88AB1776F&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=15