%0 Journal Article
%T 正弦式注入下半导体中过剩载流子的相移寿命
%A 王启明
%J 科学通报
%D 1966
%I 
%X 许多半导体器件中都是以时间正弦式注入过剩载流子而工作的。这样,注入的过剩载流子的弛豫过程就表现为注入信号与输出信号间的位相滞后Δφ。弛豫时间常数τ~φ(卽过剩载流子寿命)与△φ存在着简单的关系: tan△φ=-ωτ~φ (1)ω是注入信号频率。基于这样的原理曾经广泛地发展了一种简单的寿命测量方法,卽相移法。通过测定正弦注入信号与输出信号间的相移△φ由(1)式便可直接确定寿命τ~φ。这种方法由于具有 1.测量寿命τ时直接简
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=A2C5AAB7CE451035&yid=C7EA1836BA194C9B&vid=708DD6B15D2464E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=8BD23BD67BF01A5C&eid=8BD23BD67BF01A5C&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=0