%0 Journal Article
%T 在冷轧的Ni基底上沉积CeO2缓冲层
%A 王荣平
%A 熊旭明
%A 郭向欣
%A 周岳亮
%A 吕惠宾
%A 潘少华
%A 陈正豪
%A 杨国桢
%J 科学通报
%D 1998
%I 
%X 在有和无离子束辅助两种情形下，在冷轧Ｎｉ基底上制备了ＣｅＯ２薄膜，结果表明，无离子束辅助沉积时，薄膜表现出（１１１）取向，在离子能量为２４０ｅＶ、束流为２００μＡ／ｃｍ＾２、基片温度为３６０℃的条件下沉积的ＣｅＯ２薄膜呈现出良好的（００２）外延取向和平面内织构。
%K 缓冲层
%K 脉冲激光沉积
%K 氧化铈
%K 超导薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=2E0C8077706F334A9D287963EEB057CA&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=BE33CC7147FEFCA4&iid=59906B3B2830C2C5&sid=7671EBF56E8E19A5&eid=4CBFE0C7AFFA0387&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=0&reference_num=1