%0 Journal Article
%T 脉冲激光沉积TiO2薄膜的I-V和C-V
%A 傅正文
%A 周鸣飞
%A 张胜坤
%A 陈良尧
%A 秦启宗
%J 科学通报
%D 1998
%I 
%X 报道了使用３５５ｎｍ激光烧蚀金属钛在ｐ－Ｓｉ基片上反应性沉积ＴｉＯ２薄膜，并对Ａｌ／ＴｉＯ２／Ｓｉ电容器的Ｃ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性进行了测量。结果表明经过７００℃退火处理的薄膜具有高的介电常数４６。
%K 脉冲激光沉积
%K 电学性能
%K 介电性能
%K 二氧化钛
%K 薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=01BA20E8BA813E1908F3698710BBFEFEE816345F465FEBA5&cid=7C7E63796F062382A606A3A9833B8C05&jid=B40D4BA57FF46E45205A09B4DC283152&aid=CDFBB1A5363748D0A25471EA8AFCEB65&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=BE33CC7147FEFCA4&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=66973F362693F62B&eid=2BCD2FED7562E194&journal_id=0023-074X&journal_name=科学通报&referenced_num=1&reference_num=2